การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล = Fabrication of In₀.₁₅Ga₀.₈₅As nanoholes on GaAs substrates formed by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy

Title	การประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล = Fabrication of In₀.₁₅Ga₀.₈₅As nanoholes on GaAs substrates formed by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy
Author	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
Imprint	กรุงเทพฯ : คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554
Connect to	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187
Descript	x, 43 แผ่น : ภาพประกอบ, แผนภูมิ ; 29 ซม.

การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล สารกึ่งตัวนำ

LOCATION	CALL#	STATUS
Central Library (4th Floor)	621.38152 ส238กป	CHECK SHELVES
Thailand and ASEAN Information Center (6th Floor) : Chula Collection	วศ 15 015686	LIB USE ONLY