Authorสมชัย รัตนธรรมพันธ์
Titleการประดิษฐ์นาโนโฮลจาก In₀.₁₅Ga₀.₈₅As บนแผ่นผลึกฐาน GaAs ด้วยวิธีดรอปเพลทอิพิแทกซีที่ใช้การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล = Fabrication of In₀.₁₅Ga₀.₈₅As nanoholes on GaAs substrates formed by droplet epitaxy using molecular beam epitaxy / สมชัย รัตนธรรมพันธ์
Imprint กรุงเทพฯ : คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2554
Connect tohttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/49187
Descript x, 43 แผ่น : ภาพประกอบ, แผนภูมิ ; 29 ซม.

SUBJECT

  1. การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
  2. สารกึ่งตัวนำ

LOCATIONCALL#STATUS
Central Library (4th Floor)621.38152 ส238กป CHECK SHELVES