Author	ทวีสิน ฤกษ์ขจรนามกุล
Title	การจำลองโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์และสารประกอบสามธาตุ IB-III-VI₂ / ทวีสิน ฤกษ์ขจรนามกุล = High pressure structures simulation of CuInSe₂ and IB-III-VI₂ ternary compounds / Taweesin Rerkhajornnamkul
Imprint	2554
Connect to	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/26392
Descript	ก-ฏ, 61 แผ่น : ภาพประกอบ, แผนภูมิ

คอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์ (CIGS : CuIn₁₋ₓGaxSe₂) เป็นตัวดูดกลืนแสงที่มีประสิทธิภาพสูงและได้มีการศึกษาทางด้านสมบัติมาตลอดระยะเวลากว่า 20 ปี อย่างไรก็ตามงานวิจัยที่ศึกษาสมบัติทางฟิสิกส์ภายใต้ภาวะรุนแรงและการวิเคราะห์ในเชิงลึกยังมีน้อยมากเมื่อเปรียบเทียบกับสารกึ่งตัวนำอื่นๆ ที่มีการนำมาผลิตเป็นเซลล์สุริยะเช่นซิลิกอน ในงานวิจัยนี้ การเปลี่ยนเฟสโครงสร้างและสมบัติเชิงฟิสิกส์ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์ (CIS : CuInSe₂) รวมไปถึงสารประกอบ IB-III-VI₂ อื่นๆ ได้ศึกษาภายใต้ภาวะความดันสูง โดยใช้ทฤษฎีฟังก์ชันนัลความหนาแน่น (DFT : Density Functional Theory) การจำลองนี้ได้ดำเนินการโดยใช้โปรแกรม CASTEP พลังงานรวมของโครงสร้างภายใต้ภาวะความดันสูงได้คำนวณเพื่อหาโครงสร้างที่เสถียรด้วยเงื่อนไขทางอุณหพลศาสตร์แบบเจาะจง
Copper indium gallium diselenide (CIGS : CuIn₁₋xGaxSe₂) is a high efficiency light absorbent, of which physical properties under ambient pressure have been intensively studied for over 20 years. However, only a few researches under extreme conditions have been carried out for their physical property and in-depth analysis compared to the other semiconductors used for solar cell application such as silicon. In this research, structural phase transitions and physical properties of copper indium diselenide (CIS : CuInSe₂) along with the other IB-III-VI₂ compound were studied under high pressure using density functional theory (DFT). Simulations were performed using CASTEP code. Total energy of the structures under high pressures was calculated in order to determine the stable structure at specific thermodynamic conditions

1. High pressure (Science) -- Simulation methods
2. Copper indium selenide -- Analysis
3. Copper indium selenide -- Structure
4. ความดันสูง (วิทยาศาสตร์) -- การจำลองระบบ
5. คอปเปอร์อินเดียมซิลิไนด์ -- การวิเคราะห์
6. คอปเปอร์อินเดียมซิลิไนด์ -- โครงสร้าง