Office of Academic Resources
Chulalongkorn University
Chulalongkorn University

Home / Help

Authorเด่นพงษ์ ณ พัทลุง, 2518-
Titleสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคในวงจรออสซิลเลเตอร์ที่ใช้ทรานซิสเตอร์รอยต่อ ไบโพลาร์ / เด่นพงษ์ ณ พัทลุง = Phase noise in oscillator using a bipolar-junction transistor / Denpong Na Pattalung
Imprint 2543
Connect tohttp://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/6051
Descript ก-ท, 121 แผ่น : ภาพประกอบ, แผนภูมิ

SUMMARY

สัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคในออสซิลเลเตอร์เป็นหนึ่งในหลายๆ ปัญหาที่ลดทอนสมรรถนะของระบบสื่อสาร ถ้าสามารถลดปริมาณสัญญาณรบกวนชนิดนี้ลงได้จะทำให้ความจุช่องสัญญาณของระบบสื่อสารทั้งภาพและเสียงที่ใช้ในปัจจุบัน เช่น วิทยุ โทรทัศน์ ฯลฯ เพิ่มขึ้น ซึ่งแนวทางการลดสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคสามารถทำได้สองวิธีคือ ออกแบบออสซิลเลเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนภายในต่ำ หรือออกแบบวงจรที่แปลงสัญญาณรบกวนภายในออสซิลเลเตอร์เป็นสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคได้น้อย ดังนั้นเพื่อหาแนวทางการออกแบบที่เหมาะสม วิทยานิพนธ์ฉบับนี้จึงศึกษาสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคด้วยวิธีวิเคราะห์สัญญาณขนาดใหญ่ที่ความถี่ประมาณ 73 MHz โดยเปรียบเทียบวงจรออสซิลเลเตอร์แบบแคลปป์ที่มีส่วนขยายเป็นทรานซิสเตอร์รอยต่อไบโพลาร์ และมีรูปแบบการต่อวงจรขยายแตกต่างกัน 3 ชนิด คือวงจรขยายแบบเบสร่วม คอลเลคเตอร์ร่วม และอิมิเตอร์ร่วม และอิมิเตอร์ร่วมโดยจะแปรค่าของอุปกรณ์ในช่วงที่ออสซิลเลเตอร์มีปริมาณสัญญาณรบกวนภายในวงจรออสซิลเลเตอร์ต่ำดังเงื่อนไขที่กล่าวมา ผลการศึกษาวงจรออสซิลเลเตอร์ทั้ง 3 รูปแบบ พบว่าการออกแบบวงจรออสซิลเลเตอร์ให้มีปริมาณสัญญาณรบกวนในวงจรต่ำ และอัตราส่วนระหว่างส่วนจินตภาพของเรโซเนเตอร์กับส่วนจินตภาพของตัวเก็บประจุในเรโซเนเตอร์มีค่าสูง สามารถลดปริมาณสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคทั้งที่ความถี่ออฟเซตต่ำและสูงลงได้ แต่อย่างไรก็ดีค่าอุปกรณ์ที่ใช้สร้างออสซิลเลเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคให้มีค่าต่ำสุดทั้งกรณีความถี่ออฟเซตต่ำและสูงมีค่าแตกต่างกันไปตามชนิดของวงจรขยาย ในกรณีที่ต้องการสร้างออสซิลเลเตอร์ตามแนวทางการออกแบบในงานวิจัยนี้พบว่า วงจรเบสร่วมเหมาะสมที่จะใช้ออกแบบออสซิลเลเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคที่ความถี่ออฟเซตสูงเนื่องจากสามารถทำให้สัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคจะมีค่าต่ำสุดเท่าที่เป็นไปได้ อย่างไรก็ตามที่ความถี่ออฟเซตต่ำสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคจะมีค่าจำกัดค่าหนึ่งวงจรอิมิตเตอร์ร่วมเป็นวงจรออสซิลเลเตอร์ที่ลดสัญญาณรบกวนเชิงวัฏภาคที่ความถี่ออฟเซตต่ำลงได้มากที่สุดในบรรดาวงจรออสซิลเลเตอร์ทั้ง 3 แบบ
Phase noise in oscillator is a factor that degrades performance of the communication systems. Decreasing the phase noise increases the channel's capacity. Phase noise can be decreased by 2 methods. One is design an oscillator that has low background noise. The other is design an oscillator that has low level of conversion of the background noise to phase noise. To find a proper way in oscillator design, this thesis studies the phase noise using large signal analysis at an approximate frequency of 73 MHz by comparing 3 types of clapp oscillator using a bipolar-junction transistor, the common base, the common collector and the common emitter circuits. The component values are varied in the range that the oscillator has low background noise. Results from the study of 3 type of oscillators show that designing an oscillator with low background noise and high value of the ratio of the imaginary part of the resonator and the imaginary part of the capacitor in the resonator can decrease phase noise in both the lowand high offset-frequency cases. However the component values of the lowest phase noise oscillators in both the low and high offset-frequency cases depend on the type of the amplifier circuits. It is found that the common base circuit is suitable for designing an oscillator with low phase noise for the high offset frequency case, because its phase noise can be suppressed as low as posible. However at low offset frequency, the phase noise has a limited value. The common emitter is the best of the three circuit topologies in decreasing phase noise for the low offset-frequency case.


สัญญาณรบกวนทางไฟฟ้า ออสซิลเลเตอร์ ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์

LOCATIONCALL#STATUS
Central Library @ Chamchuri 10 : Thesis430243LIB USE ONLY
Engineering Library : Thesisวิทยานิพนธ์LIB USE ONLY



Location



Office of Academic Resources, Chulalongkorn University, Phayathai Rd. Pathumwan Bangkok 10330 Thailand

Contact Us

Tel. 0-2218-2929,
0-2218-2927 (Library Service)
0-2218-2903 (Administrative Division)
Fax. 0-2215-3617, 0-2218-2907

Social Network

  line

facebook   instragram