Title	การศึกษาโครงสร้างควอนตัมเวลล์ของอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์ / แกลเลียมอาร์เซไนด์ที่เตรียมโดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล / ณัฐชัย สร้อยมาดี = A study on InGaAs / GaAs quantum well structure grown by molecular beam epitaxy
Author	Nutchai Sroymadee
Imprint	2541
Connect to	http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/9585
Descript	[11], 61 หน้า : ภาพประกอบ, แผนภูมิ

วิทยานิพนธ์ฉบับนี้เป็นการศึกษาเงื่อนไขในการสร้างควอนตัมเวลล์ของผลึกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนด์/แกลเลียมอาร์เซไนด์ด้วยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล (Molecular Beam Epitaxy, MBE) โดยทำการศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิแผ่นฐานขณะปลูก ค่าความกว้างของชั้นเวลล์ ค่าอัตราส่วนอะตอมของอินเดียมต่อแกลเลียม และค่าความดันลำโมเลกุลของอาร์เซนิกพร้อมทั้งศึกษาปรากฏการณ์ทางแสงที่ได้รับผลจากการแปรค่าเหล่านี้ด้วย โดยอาศัยการวัดด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนส์ (Photoluminiscense, PL) ผลการวิเคราะห์ยอดแหลมที่ได้จากการวัดชิ้นงานที่สร้างด้วยเงื่อนไขต่างๆ ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนส์ทำให้ได้ช่วงอุณภูมิที่เหมาะสมในการสร้างโครงสร้าง ได้แก่ ช่วง 500-530 ํC พร้อมกับข้อสรุปว่าควรปลูกที่อุณหภูมิที่ต่ำที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ การทดลองแปรความกว้างของชั้นเวลล์ทำให้ได้ค่าตำแหน่งยอดแหลมจากการวัดโฟโตลูมิเนสเซนส์ที่แปรตามความกว้างของเวลล์ สภาพความเค้นที่เกิดภายในเวลล์แสดงผลออกมาโดยสังเกตได้จากค่าความกว้างของยอดแหลมจากการวัดโฟโตลูมิเนสเซนส์ การทดลองแปรค่าอัตราส่วนอะตอมโดยการควบคุมความดันลำโมเลกุลเทียบกับการควลคุมเวลาในการเปิดชัตเตอร์ทำให้ได้วิธีควบคุมค่าอัตราส่วนอะตอมที่ได้ผลดีและแม่นยำ และทำให้ได้ค่าตำแหน่งยอดแหลมจากการวัดโฟโตลูมิเนสเซนส์ที่แปรตามค่าอัตราส่วนอะตอมสุดท้ายการแปรความดันลำโมเลกุลของอาร์เซนิกทำให้ได้ความดันลำโมเลกุลที่เหมาะสมต่อการสร้างโครงสร้าง อยู่ที่ค่า 20 เท่าของความดันลำโมเลกุลของแกลเลียม ข้อมูลทั้งหมดทำให้สามารถประมาณตำแหน่งความยาวคลื่นที่ต้องการให้โครงสร้างควอนตัมเวลล์เปล่งแสงออกมาได้ โดยจะอยู่ในช่วงประมาณ 870 nm ถึง 1000 nm ที่อุณหภูมิห้อง
An experimental study has been performed on the quantum well structures of InGaAs/GaAs grown by Molecular Beam Epitaxy technique (MBE). The investigations were conducted to study the following effects, i.e. substrate temperature used in the growth process, well width of the quantum well, atomic ratio between In and Ga and finally As partial flux pressure. Photoluminescense (PL) technique was an effective tool to characterize all quantum well samples with different growth parameters. The results gathered from the PL peaks reveal the optimum growth temperature ranging from 500 to 530 ํC. In addition, good quantum structures should be grown at the lowest allowed temperature. PL peaks of quantum samples with different well widths have their positions varying with the well widths. Strain occurring inside the quantum well has been confirmed by the narrow PL peak. Different atomic ratios were experimented by two comparable means, i.e. partial flux control and opened-shutter time control. The later method is very useful to precisely control atomic ratio of InGaAs layer. This experiment divulges the PL peak positions varying with the atomic ratios. The variation of As partial flux pressure eventually confirms that the As pressure value of 20 time over Ga partial flux pressure is the optimum condition to grow the best crystal quality. All experimental data are useful to approximate the wavelength of the photon, ranging from 870 nm to 1000 nm at room temperature, emitted from different designed quantum well structures.

LOCATION	CALL#	STATUS
Engineering Library : Thesis	วิทยานิพนธ์	LIB USE ONLY